Las siglas RAM significan Random Acces Memory, y la funcion de esta es el almacenamiento de datos temporales que se generan mientras se ejecutan procesos y aplicaciones.
La ram es la que guarda información volatil durante su uso, y la memoria de almacenamiento de datos guarda permanentemente los datos guardados
DDR (Double Data Rate) se caracterizan por ser capaces de llevar a cabo dos operaciones en cada ciclo de reloj
SDR (Single Data Rate), que solo ejecutan una operación de lectura o escritura.
Memoria estática de acceso aleatorio, para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.
Mientras que la DRAM son los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresc
Afecta de manera que de cuanta mas memoria se disponga, mejor sera el rendimiento hasta cierto punto.
La memoria ram tambien tiene un importante papel en el rendimiento del sistema, por que cuanto mas rapida sea antes puede acceder y almacenar los datos que procesa.
La velocidad de esta se mide en megahercios, y su manera de medirse en las veces que refreca la informacion en cada ciclo del procesador
Es una técnica que aprovecha dos canales de comunicación independientes entre la memoria RAM y la CPU para aumentar el ancho de banda y mejorar el rendimiento del sistema.
Mucha mas capacidad de ancho de banda y mayor velocidad en la gestión de datos al trabajr independientemente.
La latencia de la memoria RAM se refiere al tiempo que transcurre desde que la CPU solicita un dato de la memoria RAM hasta que el dato está disponible para su uso. Afecta al tiempo de respuesta, al rendimiento en aplicacione uq eprecisen de la latencia y para posible overclocking.
Los números en las temporizaciones de la memoria RAM, como CL15 o CL18, representan la latencia de acceso CAS (Column Address Strobe) de la memoria. El número CL (CAS Latency) indica el número de ciclos de reloj que la memoria RAM necesita para devolver los datos solicitados después de que se ha emitido una solicitud de lectura.
Pantallazos azules, rendimiento lento del sistema, menos capacidad util de la instalada, corrupcion de datos, errores de inicio...
Probaria todos los slots de ram con una sola de las intaladas y con una nueva, siempre independientemente el slot y la ram para ver si es correcto el funcionamiento de todos lo slots y de todas las tarjetas.
Cuando se actualice a un sistema operativo que necesite mas recursos, cuando se quiera hacer ciertas cosas con el ordenador que lo precisen, o cuando la capacidaad se haya quedado obsoleta para los programas de ahora.
Que sean iguales que los ya intalados.
Capacidad necesaria para el uso
Capacidad soportada por la placa
Compatibilidad con la placa base
Uso que se le va a dar
Canales que tiene la placa
Se utilizan normalmente SODIMM.
Estandares:
Estándares: Los estándares comunes de memoria RAM para portátiles incluyen DDR (Double Data Rate), DDR2, DDR3,
DDR4 y DDR5 (este último es relativamente nuevo y puede no ser tan común en portátiles en el momento de esta
respuesta).
Número de contactos de cada estándar:
DDR: 200 pines (para DDR y DDR2).
DDR3: 204 pines.
DDR4: 260 pines.
Velocidades: Las velocidades de los módulos de memoria RAM para portátiles varían según el estándar y las especificaciones del fabricante. Por ejemplo:
DDR: Velocidades de hasta DDR400 (PC3200).
DDR2: Velocidades de hasta DDR2-800 (PC2-6400).
DDR3: Velocidades de hasta DDR3-2133 (PC3-17000) o más.
DDR4: Velocidades de hasta DDR4-3200 (PC4-25600) o más.
Es el nuevo factor de forma que acaba de ser aprobado oficialmente por la Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC y que podría reemplazar a las soluciones actuales de memorias informáticas.
LPCAMM2 aprovecha los beneficios de una memoria moderna como LPDDR5X, pero de manera modular y además, ocupa un 64% menos de espacio que una pila SO-DIMM dual, las memorias distribuidas a base de módulos. Este factor de forma permite apilar hasta 16 componentes DRAM en un solo paquete, lo que reduce la arquitectura de la memoria y al mismo tiempo mejora el rendimiento hasta en un 50% y la eficiencia energética hasta en un 70%.